Micron 發布雄心勃勃的 DRAM 與 NAND 路線圖：3D NAND、High‑NA EUV、新材料與客製化晶片再度回歸
Micron details ambitious DRAM and NAND roadmap — 3D NAND, High-NA EUV, new materials, and custom silicon makes a comeback
重點導讀
Micron 公佈了未來數年 DRAM 與 NAND 的路線圖，重點包括 3D DRAM、客製化記憶體、High‑NA EUV 光刻與新材料技術。
- 3D DRAM：計畫推出兩代 3D DRAM（3D1、3D2），但尚未公佈具體架構或密度目標，預計在 2027 年後成為成本與效能可競爭的選項。
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信源出處tomshardware.com
Micron details ambitious DRAM and NAND roadmap — 3D NAND, High-NA EUV, new materials, and custom silicon makes a comeback
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來源： Tom’s Hardware AI & Computing (tomshardware.com)
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