長江儲存第四晶圓廠本土裝置採購比例突破七成，助力降低美國出口管制
長江儲存第四晶圓廠本土裝置力拼佔比逾七成，進一步降低美國箝制
重點導讀
長江儲存計畫在武漢興建第四座晶圓廠，並將本土裝置採購比例提升至70%以降低美國出口管制。
- 建廠時間 2027年動工
- 晶片層數 超過300層，針對資料中心與 AI
- 市場佔有率 2025年28% 上升至第二季 38.5%，超越三星
- 對本土裝置商 北方華創與中微公司將獲得清洗、拋光、蝕刻訂單
- 仍有外國裝置需求 在最尖端工序上仍依賴外國裝置
AI 伴隨問答
針對這篇報導有疑問？可直接點選快捷問題或向 AI 追問背景脈絡與技術細節：
信源出處finance.technews.tw
長江儲存第四晶圓廠本土裝置力拼佔比逾七成，進一步降低美國箝制
本文為 888news 精選之重點導讀。若需閱讀作者完整原文、技術細節與官方討論，請前往原始網站。
來源： TechNews 科技新報 (finance.technews.tw)
開啟原文